Сипаттама
MDU3603 MDU3603RH бір арналы траншея MOSFET 30V 67A 9,1 мΩ
MDU3603 Жалпы сипаттама
Бұл Mosfet күйдегі төмен қарсылықты қамтамасыз ету үшін жетілдірілген Magnachip MOSFET технологиясын пайдаланады. Бұл құрылғы ноутбуктер мен портативті батарея жинақтарында жиі кездесетін қуатты басқару және жүктемені ауыстыру қолданбалары үшін қолайлы.
Ерекшеліктер
1. VDS = -30 В
2. ID = -67A @VGS = -10V
3. RDS(ҚОСУ)
1. < 7,5 мΩ @VGS = -20 В
2. < 9,1 мΩ @VGS = -10 В
3. < 13,6 мΩ @VGS = -5 В
Қолданбалар
1. Жүктеме қосқышы
2. Жалпы мақсаттағы қолданбалар
3. Note PC батареясына арналған смарт модуль
1. | Конфигурация | Бойдақ |
2. | Процесс технологиясы | TMOS |
3. | Арна режимі | Жақсарту |
4. | Арна түрі | П |
5. | Чипке шаққандағы элементтер саны | 1 |
6. | Максималды төгу көзінің кернеуі (V) | 30 |
7. | Шықпа көзінің максималды кернеуі (V) | +-25 |
8. | Шкафтың шекті кернеуі (V) | 3 |
9. | Максималды үздіксіз төгу тогы (A) | 67 |
10. | Шықпа көзінің максималды ағып кету тогы (nA) | 100 |
11. | Максималды IDSS (uA) | 1 |
12. | Ағызу көзінің максималды кедергісі (мОм) | 7,5@20В |
13. | Әдеттегі Gate заряды @ Vgs (nC) | 38,4@10 В |
14. | 10В (nC) үшін әдеттегі қақпа заряды | 38.4 |
15. | Әдеттегі кіріс сыйымдылығы @ Vds (pF) | 1788@15В |
16. | Максималды қуат шығыны (мВт) | 2500 |
17. | Әдеттегі күз уақыты (нс) | 53.2 |
18. | Әдеттегі көтерілу уақыты (нс) | 13 |
19. | Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты (нс) | 61.6 |
20. | Қосудың әдеттегі кешігу уақыты (нс) | 15.3 |
21. | Ең төменгі жұмыс температурасы (°C) | -55 |
22. | Максималды жұмыс температурасы (°C) | 150 |
23. | Қаптама | Таспа және катушка |
24. | Монтаждау | Беттік орнату |
25. | Пакет биіктігі | 1,1 (макс.) |
26. | Пакет ені | 6.1 (макс.) |
27. | Пакет ұзындығы | 5.1 (макс.) |
28. | ПХД өзгертілді | 8 |
29. | PIN саны | 8 |