WhatsApp: +8618124018244รายละเอียดเพิ่มเติม
MDU3603 MDU3603RH ร่อง P-Channel เดี่ยว MOSFET 30V 67A 9.1mΩ
MDU3603 คำอธิบายทั่วไป
Mosfet นี้ใช้เทคโนโลยี MOSFET ขั้นสูงของ Magnachip เพื่อให้ความต้านทานต่อสถานะต่ำ อุปกรณ์นี้เหมาะสำหรับการจัดการพลังงานและแอปพลิเคชันการสลับโหลดทั่วไปในคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊กและชุดแบตเตอรี่แบบพกพา
คุณสมบัติ
1. VDS = -30V
2. ID = -67A @VGS = -10V
3. RDS (เปิด)
1. < 7.5mΩ @VGS = -20V
2. < 9.1mΩ @VGS = -10V
3. < 13.6mΩ @VGS = -5V
แอพพลิเคชั่น
1. สวิตช์โหลด
2. การใช้งานทั่วไป
3. โมดูลอัจฉริยะสำหรับแบตเตอรี่ Note PC
| 1. | การกำหนดค่า | เดี่ยว |
| 2. | เทคโนโลยีกระบวนการ | TMOS |
| 3. | โหมดช่อง | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| 4. | ประเภทช่อง | พี |
| 5. | จำนวนองค์ประกอบต่อชิป | 1 |
| 6. | แรงดันแหล่งเดรนสูงสุด (V) | 30 |
| 7. | แรงดันแหล่งจ่ายเกตสูงสุด (V) | +-25 |
| 8. | แรงดันเกณฑ์ประตูสูงสุด (V) | 3 |
| 9. | กระแสเดรนต่อเนื่องสูงสุด (A) | 67 |
| 10. | กระแสไฟฟ้ารั่วไหลของเกตสูงสุด (nA) | 100 |
| 11. | IDSS สูงสุด (uA) | 1 |
| 12. | ความต้านทานแหล่งเดรนสูงสุด (mOhm) | 7.5@20V |
| 13. | ค่าเกททั่วไป @ Vgs (nC) | 38.4@10V |
| 14. | ค่าเกททั่วไป @ 10V (nC) | 38.4 |
| 15. | ความจุอินพุตทั่วไป @ Vds (pF) | 1788@15V |
| 16. | การกระจายพลังงานสูงสุด (mW) | 2500 |
| 17. | เวลาฤดูใบไม้ร่วงโดยทั่วไป (ns) | 53.2 |
| 18. | เวลาที่เพิ่มขึ้นโดยทั่วไป (ns) | 13 |
| 19. | เวลาหน่วงการปิดเครื่องทั่วไป (ns) | 61.6 |
| 20. | เวลาหน่วงเวลาเปิดเครื่องโดยทั่วไป (ns) | 15.3 |
| 21. | อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ (°C) | -55 |
| 22. | อุณหภูมิใช้งานสูงสุด (°C) | 150 |
| 23. | บรรจุภัณฑ์ | เทปและรีล |
| 24. | การติดตั้ง | พื้นผิวติด |
| 25. | ความสูงของแพ็คเกจ | 1.1 (สูงสุด) |
| 26. | ความกว้างของบรรจุภัณฑ์ | 6.1 (สูงสุด) |
| 27. | ความยาวของแพ็คเกจ | 5.1 (สูงสุด) |
| 28. | PCB มีการเปลี่ยนแปลง | 8 |
| 29. | จำนวนพิน | 8 |
